En 2018, Samsung va a estrenar la SEGUNDA GENERACIÓN de sus chips de memoria RAM DDR4 con tecnología de 10 nm y que consigue ser un 15% más eficiente en el consumo de energía y 10% más rápido que la generación anterior, además de que la compañía ha perfeccionado el proceso de fabricación en un 30%, lo que hará que sea más sencillo de fabricar y tener disponibilidad inmediata, para así estar ante una reducción en los costes y precios para el consumidor. Hay que tener en cuenta que la reducción de la distancia entre componentes de los chips hasta 10 nm permite aumentar la velocidad de proceso. Si a esto le unimos un mejor consumo de energía, se consigue un calentamiento menor y también una mayor velocidad de proceso. Por eso es tan importante la reducción de las distancias y la optimización de la fabricación de estas memorias DDR4, que son fundamentales tanto para supercomputación como para ordenadores convencionales o GPUs.
Estas cifras se han conseguido tras 20 meses desde que se lanzara la primera generación de que entrara en producción la tecnología de 10nm. Con estas mejoras en la fabricación, comenzarán a migrar primero las plataformas de alto rendimiento como DDR5, HBM3, LPDDR5 y GDDR6, centrándose en servidores, supercomputadoras, sistemas HPC y GPUs de alto rendimiento, así como smartphones que utilizen estas memorias DDR4.
A pesar de este estancamiento en el desarrollo de la tecnología de miniturización de las memorias DDR4, Samsung sí va a continuar investigando pero a un ritmo más bajo, dado que no ahora mismo son líderes mundiales y sus competidores están a cierta distancia. En 2018, sí han confirmado que arrancarán con las pruebas dentro de procesos de fabricación sobre los 8nm, en lo que parecerá ser un cambio sencillo y natural al haber perfeccionado los 10nm, cuya tecnología serán fabricando en 2018. Por otro lado, la tecnología de 7nm se mantendrá pendiente por unos años más debido a que la adopción de la litografía ultravioleta se les está complicando.
